Pēdējos gados jaunu enerģētikas nozaru, piemēram, fotoelektrisko uzkrāšanas iekārtu un elektrisko transportlīdzekļu (EV), straujā attīstība ir novedusi pie strauja pieprasījuma pieauguma pēc līdzstrāvas saites kondensatoriem. Īsāk sakot, līdzstrāvas saites kondensatoriem ir būtiska loma ķēdē. Tie var absorbēt lielas impulsu strāvas kopnes galā un izlīdzināt kopnes spriegumu, nodrošinot, ka IGBT un SiC MOSFET slēdži darbības laikā ir aizsargāti no lielu impulsu strāvu un pārejas spriegumu negatīvās ietekmes.
Tā kā jauno enerģijas transportlīdzekļu kopņu spriegums palielinās no 400 V līdz 800 V, pieprasījums pēc plēves kondensatoriem ir ievērojami pieaudzis. Saskaņā ar datiem, uz DC-Link plānplēves kondensatoriem balstītu elektrisko piedziņas invertoru uzstādītā jauda 2022. gadā sasniedza 5,1117 miljonus iekārtu, kas veido 88,7 % no elektriskās vadības uzstādītās jaudas. Daudzu vadošo elektriskās vadības uzņēmumu, piemēram, Tesla un Nidec, piedziņas invertori izmanto DC-Link plēves kondensatorus, kas veido 82,9 % no uzstādītās jaudas un ir kļuvuši par galveno izvēli elektrisko piedziņu tirgū.
Pētījumi liecina, ka silīcija IGBT pustilta invertoros līdzstrāvas saitē parasti tiek izmantoti tradicionālie elektrolītiskie kondensatori, taču sprieguma lēcieni radīsies elektrolītisko kondensatoru augstās ESR dēļ. Salīdzinot ar silīcija bāzes IGBT risinājumiem, SiC MOSFET ir augstāka pārslēgšanās frekvence, tāpēc sprieguma lēciena amplitūda pustilta invertora līdzstrāvas saitē ir lielāka, kas var izraisīt ierīces veiktspējas pasliktināšanos vai pat bojājumus, un elektrolītisko kondensatoru rezonanses frekvence ir tikai 4 kHz, kas nav pietiekami, lai absorbētu SiC MOSFET invertoru strāvas pulsāciju.
Tāpēc līdzstrāvas lietojumos, piemēram, elektriskās piedziņas invertoros un fotoelektriskajos invertoros ar augstākām uzticamības prasībām,plēves kondensatoriparasti tiek izvēlēti. Salīdzinot ar alumīnija elektrolītiskajiem kondensatoriem, to veiktspējas priekšrocības ir augstāka sprieguma pretestība, zemāks ESR, nepolaritāte, stabilāka veiktspēja un ilgāks kalpošanas laiks, tādējādi panākot spēcīgāku pulsācijas pretestību un uzticamāku sistēmas konstrukciju.
Sistēmas, kurās tiek izmantoti plānslāņu kondensatori, var izmantot SiC MOSFET augstfrekvences un zemo zudumu priekšrocības un samazināt pasīvo komponentu izmēru un svaru. Wolfspeed pētījumi liecina, ka 10 kW silīcija bāzes IGBT invertoram nepieciešami 22 alumīnija elektrolītiskie kondensatori, savukārt 40 kW SiC invertoram nepieciešami tikai 8 plānslāņu kondensatori, un arī PCB laukums ir ievērojami samazināts.
Reaģējot uz tirgus pieprasījumu, YMIN Electronics laida klajāMDP sērijas plēves kondensatori, kuros tiek izmantotas progresīvas tehnoloģijas un augstas kvalitātes materiāli, lai pielāgotos SiC MOSFET un uz silīcija bāzes veidotiem IGBT. MDP sērijas kondensatoriem ir zems ESR, augsta izturības spriegums, zema noplūdes strāva un augsta temperatūras stabilitāte.
YMIN Electronics plēves kondensatoru produktu priekšrocības:
YMIN Electronics plēves kondensatora konstrukcijā ir izmantota zema ESR koncepcija, lai samazinātu sprieguma slodzi un enerģijas zudumus komutācijas laikā un uzlabotu sistēmas energoefektivitāti. Tam ir augsts nominālais spriegums, tas pielāgojas augstsprieguma videi un nodrošina sistēmas stabilitāti.
MDP sērijas kondensatoru kapacitātes diapazons ir no 1 µF līdz 500 µF un sprieguma diapazons ir no 500 V līdz 1500 V. Tiem ir zemāka noplūdes strāva un augstāka temperatūras stabilitāte. Pateicoties augstas kvalitātes materiāliem un progresīviem procesiem, ir izstrādāta efektīva siltuma izkliedes struktūra, kas nodrošina stabilu darbību augstās temperatūrās, pagarina kalpošanas laiku un nodrošina uzticamu atbalstu jaudas elektroniskajām sistēmām. Tajā pašā laikā,MDP sērijas kondensatoriir kompakta izmēra, ar augstu jaudas blīvumu un izmanto inovatīvus plānslāņu ražošanas procesus, lai uzlabotu sistēmas integrāciju un efektivitāti, samazinātu izmēru un svaru, kā arī palielinātu iekārtu pārnesamību un elastību.
YMIN Electronics DC-Link plēves kondensatoru sērijai ir par 30 % uzlabota dv/dt tolerance un par 30 % palielināts kalpošanas laiks, kas uzlabo SiC/IGBT shēmu uzticamību, nodrošina labāku izmaksu efektivitāti un atrisina cenu problēmu.
Publicēšanas laiks: 2025. gada 10. janvāris